Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPB08CN10N G
IPB08CN10N G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPB08CN10N G

Номер детали производителя IPB08CN10N G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 95A D2PAK
Упаковка PG-TO263-3
В наличии 5341 pcs
Техническая спецификация IPx08CN10N GPart Number GuideMultiple Devices 11/Dec/2009
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5341 Infineon Technologies IPB08CN10N G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 130µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 95A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 167W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 6660 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 95A (Tc)
Базовый номер продукта IPB08C

Рекомендуемые продукты

IPB08CN10N G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPB08CN10N G

Связанные детали для IPB08CN10N G